（19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN106154740A (43)申请公布日2016.11.23 (21)申请号201510149073.1 (22)申请日2015.03.31 (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址201203上海市浦东新区张江路18号 (72)发明人卢子轩王跃刚杨晓松 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限 责任公司11240 代理人吴贵明张永明 (51) Int. CI. G03F1/44(2012.01) G03F1/72(2012.01) G01N21/88(2006.01) 权利要求书1页说明书4页附图1页 (54）发明名称 光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测 方法 (57）摘要 本申请公开了一种光掩膜的缺陷检测系统及 检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值； 光掩膜的缺陷检测方法。其中，该缺陷检测系统包 括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上 的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于计算出任 计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值， 并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍 意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并 值的各缺陷作为擦伤缺陷。 将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度 容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。本申请提供的光 掩膜的缺陷检测系统和缺陷检测方法能够提高光 掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。 A 106154740 3 权利要求书 1/1 页 CN106154740 A 1.一种光掩膜的缺陷检测系统，其特征在于，所述缺陷检测系统包括： 缺陷扫描单元，用于检测出所述光掩膜的表面上的缺陷的坐标值； 缺陷分析单元，用于计算出任意两个或两个以上所述缺陷之间的坐标值的差值，并将 2.根据权利要求1所述的缺陷检测系统，其特征在于，缺陷分析单元还用于：将沿同一 坐标轴方向上的所述差值小于缺陷相邻距离设定值的各所述缺陷作为一个整体缺陷。 3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述缺陷检测系统还包括报 警单元，当检测出擦伤缺陷时所述报警单元发出报警。 的方式发出报警。 5.一种光掩膜的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法包括以下步骤： 检测出所述光掩膜的表面上的缺陷的坐标值； 向上的所述差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各所述缺陷作为擦伤缺陷。 6.根据权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述擦伤缺陷宽度容忍值为 0.15~0.2mm。 7.根据权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法还包括：将沿 8.根据权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷相邻距离设定值为 0.1~0.14mm。 9.根据权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法还包括：检测 出所述擦伤缺陷后发出报警，以通知操作人对所述擦伤缺陷进行人工确定。 10.根据权利要求5至9中任一项所述的缺陷检测方法，其特征在于，每隔一小时；或 者每隔一天；或者不定时执行所述缺陷检测方法。 2 说明书 CN 106154740 A 1/4页 光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法 技术领域 系统及光掩膜的缺陷检测方法。 背景技术 [0002]】在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过 程，即采用光掩膜（又称为光罩）进行光刻的过程，即通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄 膜的特定部分除去，以在晶圆表面上形成带有微图形结构的薄膜（特征图形）的过程。 [0003]在采用光掩膜进行光刻的过程中，光掩膜的表面缺陷（例如表面颗粒（PIP）等） 会严重影响曝光过程，甚至会导致曝光过程失效。目前，通常采用每隔数小时或数天进行的 光掩膜检测（masksurfaceinspection）才能发现光掩膜的表面上的缺陷。 [0004]申请人对光掩膜的表面缺陷进行了大量研究之后发现，40%的表面缺陷是在手工 伤缺陷），而且擦伤缺陷更难被发现。为了提高发现擦伤缺陷的几率，申请人尝试提高缺陷 的粒径预警值（由原先的50微米提高至10微米），然而这样会引起明显增天缺陷的误报 率。针对上述问题，本领域中还没有解决上述问题的有效办法。 发明内容 [0005]］本申请旨在提供一种光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法，以提高光 掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。 [0006]为了实现上述目的，本申请提供了一种光掩膜的缺陷检测系统，该缺陷检测系统 包括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于计 算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于 擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。 [0007]进一步地，缺陷分析单元还用于：将沿同一坐标轴方向上的差值小于缺陷相邻距 离设定值的各缺陷作为一个整体缺陷。 [0008]进一步地，缺陷检测系统还包括报警单元，当检测出擦伤缺陷时报警单元发出报 警。 [6000] 进一步地，报警单元通过电话或邮件的方式发出报警。 [0010] 测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差 值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。 [0011]进一步地，擦伤缺陷宽度容忍值为0.15～0.2mm。 [0012] 进一步地，缺陷检测方法还包括：将沿同一坐标轴方向上的差值小于缺陷相邻距 离设定值的各缺陷作为一个整体缺陷。 [0013］进一步地，缺陷相邻距离设定值为0.1～0.14mm。 3 说明书 CN 106154740 A 2/4页 [0014] 进一步地，缺陷检测方法还包括：检测出擦伤缺陷后发出报警，以通知操作人对擦 伤缺陷进行人工确定。 [0015]进一步地，每隔一小时；或者每隔一天；或者不定时执行缺陷检测方法。 [0016]应用本申请的技术方案，本申请通过提供一种光掩膜的缺陷检测系统和缺陷检测 方法，并通过检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值，以及计算出任意两个或两个以上缺 陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺 陷作为擦伤缺陷，从而提高了光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。 附图说明 [0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示 意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： [0018] 图1示出了本申请实施方式所提供的光掩膜的缺陷检测方法的流程示意图：以及 [0019] [ 图2示出了本申请实施方式所提供的光掩膜的缺陷检测方法中，光掩膜的表面上 的缺陷的位置关系示意图。 具体实施方式 [0020] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。 [0021] 需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和／或它们的组合。 [0022]］为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在..·之上”、“在·.··上方”、 “在.·上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特 征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器 件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下 方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在..·上方”可以包括“在.…·上方” 和“在·.·..下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位（旋转90度或处于其他方 位），并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。 [0023]正如背景技术中所介绍的，在光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷难以被发现。本 申请的发明人针对上述问题进行研究，提出了一种光掩膜的缺陷检测系统。该缺陷检测系 统包括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于 计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小 于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。 [0024]】上述光掩膜的缺陷检测系统通过检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值，以及计 算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于 擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷，从而提高了光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺 陷的发现几率。 4 说明书 CN 106154740 A 3/4页 [0025]上述缺陷检测系统中，优选地，缺陷分析单元还用于：将沿同一坐标轴方向上的差 值小于缺陷相邻距离设定值的各缺陷作为一个整体缺陷。此时，光掩膜的缺陷检测过程中 擦伤缺陷的发现几率会得到进一步提高。 [0026]在一种优选的实施方式中，上述缺陷检测系统还包括报警单元，且当检测出擦伤 缺陷时报警单元发出报警。优选地，报警单元通过电话或邮件的方式发出报警。当操作人 收到报警信息后对擦伤缺陷进行人工确定。 [0027]同时，本申请还提供了一种光掩膜的缺陷检测方法。如图1所示，该缺陷检测方法 包括以下步骤：检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；计算出任意两个或两个以上缺陷 之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷 作为擦伤缺陷。 [0028]