ICS29.045 CCSH80 中华人民共和国国家标准 GB/T14264—2024 代替GB/T14264—2009 半导体材料术语 Terminologyofsemiconductormaterials 2024-04-25发布 2024-11-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 一般术语 1 ………………………………………………………………………………………………… 4 材料制备与工艺 33 ………………………………………………………………………………………… 5 缺陷 38 ……………………………………………………………………………………………………… 6 缩略语和简称 47 …………………………………………………………………………………………… 索引 50 ………………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T14264—2024 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T14264—2009《半导体材料术语》,与GB/T14264—2009相比,除结构调整和编 辑性改动外,主要技术变化如下: ———增加了“宽禁带半导体”等261项术语及其定义(见第3章~第5章); ———删除了“脊形崩边”等64项术语及其定义(见2009年版的第3章); ———更改了“化合物半导体”等62项术语及其定义(见第3章~第5章,2009年版的第3章)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学 东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有 限责任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、有研国晶辉新材料有限公司、浙江中 晶科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、中环领先半导体材料有限公司、新特能源股份 有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研 究所、四川永祥股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江海纳半 导体股份有限公司、常州时创能源股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、中国科学院半导体 研究所。 本文件主要起草人:孙燕、贺东江、李素青、宁永铎、丁晓民、朱晓彤、骆红、普世坤、秦榕、杭寅、郑安生、 宫龙飞、程凤伶、黄笑容、李国鹏、金鹏、王彬、张雪囡、邱艳梅、刘文明、尹东林、孙聂枫、李寿琴、崔丁方、 史舸、潘金平、殷淑仪、由佰玲。 本文件于1993年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。 ⅢGB/T14264—2024 半导体材料术语 1 范围 本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。 本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 一般术语 3.1 半导体 semiconductor 导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为10-5Ω·cm~1012Ω·cm,由带正电的空穴 和带负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体 物质。 注:半导体按其结构分为单晶体、多晶体和非晶体。 3.2 本征半导体 intrinsicsemiconductor 晶格完整且不含杂质,在热平衡条件下,其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体。 注:通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想情况很相近的半导体。 3.3 元素半导体 elementalsemiconductor 由单一元素的原子组成的半导体材料。 注:如硅、锗、金刚石等。 3.4 化合物半导体 compoundsemiconductor 由2种或2种以上不同元素按确定的原子配比形成的半导体材料。 注:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(GaO)、铟镓氮(InGaN)和 铝镓铟磷(AlGaInP)等。 3.5 宽禁带半导体 widebandgapsemiconductor 通常为禁带宽度不低于2.3eV的半导体材料。 注:常见宽禁带半导体材料有,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(β-Ga2O3)、金刚石、氮化铝 (AlN)等。 3.6 半绝缘砷化镓 semi-insulatingGaAs 电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。 注:用作微电子器件的衬底材料。 1GB/T14264—2024 3.7 类金刚石碳膜 diamond-likecarbonfilm 具有类似于金刚石正四面体键结构的多晶或非晶碳膜。 注:具有负电子亲和势、高硬度和抗腐蚀性,能用作光电阴极材料和器件的钝化保护膜。 3.8 蓝宝石衬底 sapphiresubstrate 用于外延生长半导体薄膜的蓝宝石单晶抛光片。 注:常用的晶面有C面、R面、M面、A面。 3.9 金刚石 terminaldiamond 禁带宽度为5.5eV,拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温特性的半导体材料。 注:也被称为第四代半导体材料。 3.10 氢终端金刚石 hydrogenterminaldiamond;H-diamond 表面吸附大量氢原子,呈现负电子亲和势特性(-1.2eV),且本身无需掺杂即具有p型导电特性的 金刚石。 3.11 第三代半导体 third-generationsemiconductor 以碳化硅、氮化镓宽禁带半导体材料为代表,通常具有高击穿电场、高迁移率、高饱和电子速度、能 承受大功率特点的半导体材料。 注:第一代半导体材料(以硅、锗为代表),大量应用于CPU、GPU、存储芯片、各种功率器件,目前仍然是半导体器件 和集成电路制造的主要材料。第二代半导体材料(以砷化镓、锑化铟、磷化铟为代表),主要应用于光电子、微电 子、微波功率等器件。第一代、第二代、第三代半导体材料主要是应用场景及出现时间上的区别,有交叉,但不 完全重合,因此第三代半导体材料和第二代、第一代之间不是迭代关系。 3.12 技术代 technologygeneration 特征尺寸 featuresize 集成电路中由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。 注:也被称为技术节点或线宽。 3.13 金刚石结构 diamondstructure 由2个面心立方点阵沿立方晶胞的体对角线偏移1/4单位嵌套而成的晶体结构。 3.14 闪锌矿结构 Sphaleritestructure 由2种元素的原子各自形成面心立方晶格,再沿对角线滑移至对角线长度的四分之一,套迭而成的 属立方晶系的面心立方点阵。 注:闪锌矿结构半导体有GaAs、InP、InSb等。 3.15 纤锌矿结构 Lead-zincorestructure 由2种元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成的属六方晶系的密排六角 点阵。 注1:以ZnS为例,其中A、B面表示Zn原子面,a、b面表示S原子面。S原子作六方密堆积,Zn原子填充在半数的 四面体空隙中。 注2:纤锌矿结构化合物半导体有4H-SiC、6H-SiC和GaN等。 2GB/T14264—2024