ICS31.200 L56 中华人民共和国国家标准 GB/T14112—2015 代替GB/T14112—1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semiconductorintegratedcircuits— SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 技术要求 1 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 引线框架尺寸 1 ……………………………………………………………………………………… 4.2 引线框架形状和位置公差 2 ………………………………………………………………………… 4.3 引线框架外观 3 ……………………………………………………………………………………… 4.4 引线框架镀层 3 ……………………………………………………………………………………… 4.5 引线框架外引线强度 4 ……………………………………………………………………………… 4.6 铜剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 4.7 银剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 5 检验规则 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 检验批的构成 4 ……………………………………………………………………………………… 5.2 鉴定批准程序 4 ……………………………………………………………………………………… 5.3 质量一致性检验 4 …………………………………………………………………………………… 6 订货资料 7 ………………………………………………………………………………………………… 7 标志、包装、运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………… 7.1 标志、包装 7 …………………………………………………………………………………………… 7.2 运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性附录) 引线框架机械测量 8 ……………………………………………………………… 附录B(规范性附录) 引线框架高温和机械试验 16 ……………………………………………………… 附录C(资料性附录) 批允许不合格率(LTPD)抽样方案 18 …………………………………………… ⅠGB/T14112—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14112—1993《半导体集成电路 塑封双列封装冲制型引线框架规范》。 本标准与GB/T14112—1993相比主要变化如下: ———关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用 文件GB/T2423.60—2008、SJ20129; ———增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义; ———标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的 有关要求; ———修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标 准在整个标称长度上进行规定; ———修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm, 本标准根据材料的厚度进行规定; ———修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm,本标 准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定; ———修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值,本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定; ———修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求; ———修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准 修改为0.1mm; ———修改了标准中对“精压区共面性”的要求(见4.2.8):原标准中规定了引线框架条宽大于 50.8mm,精压区共面性为±0.25mm,本标准修改为±0.2mm; ———修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了受压和不受压情况 下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm; ———对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能 区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的 要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个; ———修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2):原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm(平 均值),本标准修改为不小于3μm; ———修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关 要求; ———增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6); ———增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7); ———修改了标准中对“检验要求”的要求:修改了原标准中A1a、A1b、A2分组的检测水平及AQL, 并对A1a、A1b,B2a、B2b分组进行合并;原标准中B组采用LTPD抽样方案,本标准将B1、 B2、B3修改为AQL抽样方案,并增加C3、C4检验的抽样要求; ———修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个 月(见7.2)。 ⅢGB/T14112—2015 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T14112—1993。 ⅣGB/T14112—2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 1 范围 本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检 验规则。 本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T2423.60—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验U:引出端及整体安 装件强度 GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T7092 半导体集成电路外形尺寸 GB/T14113 半导体集成电路封装术语 SJ20129 金属镀覆层厚度测量方法 3 术语和定义 GB/T14113中界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 标称长度 nominallength 引线框架图纸上规定的条长。 3.2 精压区共面性 atotalareaofprecisionpressure 引线框架内引线端部精压区域相对于基准高度的高度差。 3.3 芯片粘接区下陷 chipbondingareasubsidence 引线框架芯片粘接区受压下陷的程度,即为芯片粘接区与未受压前的高度差,俗称打凹或打弯 深度。 4 技术要求 4.1 引线框架尺寸 引线框架的尺寸应符合GB/T7092的有关规定,并符合引线框架设计图纸的要求。 1GB/T14112—2015 4.2 引线框架形状和位置公差 4.2.1 侧弯 侧弯在整个标称长度上不超过0.05mm。 4.2.2 卷曲 卷曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍。 4.2.3 横弯 横弯小于标称条宽的0.5%。 4.2.4 条带扭曲 条带扭曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍。 4.2.5 引线扭曲 引线扭曲不超过3°30'。 4.2.6 精压深度 图纸上表明的尺寸为精压前尺寸,在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下,精压深度不大 于材料厚度的30%。最小精压深度受最小键合区要求的限制,最大精压深度受最小引线间距要求的限 制,参考值为0.015mm~0.06mm。 4.2.7 绝缘间隙 相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.1mm。 4.2.8 精压区共面性 材料厚度为0.25mm时,精压区共面性应符合表1的规定。 表1 精压区共面性 单位为毫米 引线框架条宽 精压区共面性 <25.4 ±0.10 25.4~50.8