ICS37.100.10 N40 中华人民共和国国家标准 GB/T13963—2012 代替GB/T13963—2008 静 电复印(包括多功能)设备 术语 Electrostaticcopying(includingmultifunction)devicesterminology 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 基础术语 1 ………………………………………………………………………………………………… 2.1 电子学 1 ……………………………………………………………………………………………… 2.2 光学 4 ………………………………………………………………………………………………… 2.3 色度学 6 ……………………………………………………………………………………………… 2.4 材料学 9 ……………………………………………………………………………………………… 3 整机术语 14 ………………………………………………………………………………………………… 3.1 整机 14 ………………………………………………………………………………………………… 3.2 功能与过程 16 ………………………………………………………………………………………… 3.3 其他 29 ………………………………………………………………………………………………… 4 关键零部件术语 33 ………………………………………………………………………………………… 5 消耗材料术语 39 …………………………………………………………………………………………… 6 图像质量术语 44 …………………………………………………………………………………………… 索引 49 ………………………………………………………………………………………………………… 汉语拼音索引 49 ……………………………………………………………………………………………… 英文对应词索引 56 ……………………………………………………………………………………………GB/T13963—2012 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T13963—2008《复印机术语》。 本标准与GB/T13963—2008相比,修改的主要技术内容如下: ———增加有关电子学、光学、色度学、材料学等基础知识方面的术语; ———增加了有关扫描仪、打印机、传真机等整机方面的术语; ———增加了悬浮聚合、乳化聚合、溶解悬浮、凝集度、熔融指数、圆形度等有关消耗材料方面的术语; ———增加了条纹、颗粒、斑点、色渗透等图像质量方面的术语; ———修改了清晰度、显影剂、色调剂、鼓粉盒等术语的描述; ———删除了氨熏显影、重氮复印过程、半干重氮复印过程、压力重氮复印过程、银盐复印过程、重氮 复印机等过时的术语; ———删除了表格纸、标签纸、操作面板、重复功能、保存质量、复印按钮等很浅显的术语。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国复印机械标准化技术委员会(SAC/TC147)归口。 本标准起草单位:天津复印技术研究所、柯尼卡美能达(中国)投资有限公司、上海富士施乐有限公 司、理光图像技术(上海)有限公司深圳分公司、佳能(中国)有限公司。 本标准主要起草人:刘慧玲、陈挺、仇相如、刘生应、鲁俊和。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T13963—2008。 ⅠGB/T13963—2012 静电复印(包括多功能)设备 术语 1 范围 本标准规定了静电复印(包括多功能)设备术语,主要包括基础术语、整机术语、关键零部件术语、消 耗材料术语、图像质量等方面的术语。 本标准适用于静电复印(包括多功能)设备及相关零部件、消耗材料等的标准制定、技术文件编制、 教材和书刊编写以及文献翻译等。 2 基础术语 2.1 电子学 2.1.1 静电学 electrostatics 关于静态电荷的力和场的科学。 2.1.2 静电力 electrostaticforce 静止的电荷之间发生的作用力。两个静止点电荷之间发生的作用力与其电量的乘积成正比,与它 们之间的距离的平方成反比,作用力的方向在它们的连线上。 2.1.3 静电潜像 electrostaticlatentimage;electrostaticimage 又称静电像。 静电荷在光导体或电介体层上以图像形状分布的状态,是用墨粉等显影之前肉眼看不见的电荷像。 2.1.4 静电反差 electrostatic contrast 在静电成像技术中,静电潜像里有图像处与无图像处的静电电位差称为静电反差。利用这个电位 差可以进行显影。 2.1.5 持续性静电潜像系统 chargeretentionsystem 利用静电成像技术过程所形成的静电潜像,通过一次潜像形成即可重复显影和转印而得到多张复 印品的系统。 2.1.6 持续性内极化 persistentinternalpolarization(PIP) 光照射光导电性绝缘材料的同时施加电场,通过浮获材料内部生成的极性电荷,在光照射及电场去 除后,仍能在有限时间内保留极化状态的现象称为持续性内极化。 2.1.7 持续光导电性法 persistentphotoconductivityprocess 对光导体进行曝光形成光像,并使该像上生成持续性的导电部分的现象称为持续光导电性法。在 静电成像技术中利用这个现象使充电显影、电泳显影可视化。 1GB/T13963—2012 2.1.8 摩擦带电效应 tribo-electriceffect 不同材料(例如色调剂与载体)之间由于摩擦而产生静电电位差的现象。 2.1.9 反转电场法 reversefieldprocess 内部极化的光导体或在静电成像技术法中使用的具有绝缘层的光导体,为形成静电潜像,采用曝光 前带电、曝光的同时反极性带电,使背景部分与图像部分的电场反转,得到高静电反差的方法。 2.1.10 电荷注入 chargeinjection 又称载流子注入。 半导体或绝缘体通过外界光能、电能等作用而产生载流子的过程。 2.1.11 注入充电 injectioncharging 直接从充电装置把电荷施加到光导体表面的带电方式。 2.1.12 电荷衰减 chargedecay;potentialdecay 又称电位衰减。 给光导体或电介体等注入电荷后发生的电位的衰减。分为由于光激励引起的光衰减和暗处热激励 载流子引起的暗衰减。 2.1.13 电荷接受能力 chargeacceptance 又称电荷受容性。 电荷保持体接受并保持电荷的能力。电荷受容性与电荷保持体的阻值有关。电荷保持体的阻值随 电场的增大而变小,这限制了带电时接受并保持的电荷量。 2.1.14 电荷迁移率 chargemobility 表示物质中电荷或电荷粒子具有的移动速率,用公式μ=v/E表示。 其中:μ为迁移率;v为移动速度;E为电场。 2.1.15 电晕 corona 又称电晕放电。 当电场强度超过了空气的击穿强度时,使导线周围的空气发生电离而呈现局部辉光放电现象。 2.1.16 电晕起晕电压 coronaonsetvoltage 当电极间的电压升高时,发生电晕放电时的临界电压。 2.1.17 视在表面电阻率 apparentsurfaceresistivity 在光电导绝缘层或其电学等效体上,构成一个正方形区相对两边的极间的表面电阻。 注:视在表面电阻率与正方形区的大小及绝缘层的厚度无关。 2.1.18 体积电阻率 volume resistivity 边长为1厘米的立方体的绝缘材料相对两侧面间的体电阻。 注1:体积电阻率用Ω·cm表示; 注2:对于纸的体积电阻率,通过测量与样品相对两个表面接触的电极间的电阻来获得。 2GB/T13963—2012 2.1.19 饱和电荷量 saturation charge 在不发生介电击穿的情况下,光电导层上能保持的最大净电荷量。 2.1.20 表面电位 surfacepotential 被充电的光导体表面的电位的高低。按照静电成像技术的过程,分别称为初始电位、曝光电位、残 余电位等。 2.1.21 表面电荷密度 surfacechargedensity 薄片表面单位面积上存在的电荷量,用σ=Kε0V/L表示。式中,σ=表面电荷密度,K=比介电率, ε0=真空介电率,V=薄片的电位差,L=薄片厚度。 2.1.22 初始电位 initial potential 初始充电结束时光导体表面上的表面电位。 2.1.23 阈电位 thresholdpotential 光导层表面为克服色调剂和载体(或显影辊)间的吸引力而吸引色调剂粒子所需要的最小电位。 2.1.24 残余电位 residual potential 光导体表面曝光区残留的表面电位。 2.1.25 墨粉层电位 tonerlayerpotential 在进行显影时,由于带电墨粉的附着,在墨粉层中出现的不同电位差。也可以通过测量这个电位来 测定墨粉的带电量 2.1.26 暗衰减 darkdecay 已充电的光导体的表面电位在暗处由于热激励使电位衰减下去的现象。