书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８２ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ２５０７４ — ２０１７ /G21 /G22 ＧＢ ／ Ｔ２５０７４ — ２０１０ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 犛狅犾犪狉犵狉犪犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀 ２０１７  １１  ０１ /G28 /G29 ２０１８  ０５  ０１ /G2A /G2B /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G2F /G31 /G32 /G33 /G21 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A /G34 /G35 /G36 /G37 /G38 /G39 /G28 /G29 书 书 书前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 本标准代替 ＧＢ ／ Ｔ２５０７４ — ２０１０ 《 太阳能级多晶硅 》。 本标准与 ＧＢ ／ Ｔ２５０７４ — ２０１０ 相比 ， 主要变动如下 ： ——— 增加了规范性引用文件 ＧＢ ／ Ｔ１３３８９ 、 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 、 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 、 ＧＢ ／ Ｔ２４５８２ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９０５７ 、 ＧＢ ／ Ｔ２９８４９ 、 ＧＢ ／ Ｔ３１８５４ ， 删除了 ＳＥＭＩＭＦ１５３５ （ 见第 ２ 章 ， ２０１０ 年版的第 ２ 章 ）； ——— 技术指标划分等级中增加了特级品的指标要求 （ 见 ５．１ ）； ——— 将技术指标中各等级施 ／ 受主杂质浓度 、 少数载流子寿命 、 基体金属杂质含量的要求进行了修订 ， 并增加了表面金属杂质含量要求 （ 见 ５．１ ， ２０１０ 年版的 ４．１ ）； ——— 细化了块状多晶硅尺寸范围 （ 见 ５．２．１ ， ２０１０ 年版的 ４．２ ）； ——— 增加了致密料 、 菜花料 、 珊瑚料的表面质量要求 （ 见 ５．３．１ ）； ——— 包装要求不再局限于固定重量 ， 不同需求依据供需双方协商 （ 见 ８．２ ， ２０１０ 年版的 ７．１ ）； ——— 增加附录 Ａ “ 太阳能级多晶硅参考技术指标 ”， 将导电类型和电阻率作为参考项 （ 见附录 Ａ ）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本标准起草单位 ： 洛阳中硅高科技有限公司 、 多晶硅材料制备国家工程实验室 、 有色金属技术经济研究院 、 江苏中能硅业科技发展有限公司 、 新特能源股份有限公司 、 宜昌南玻硅材料有限公司 、 内蒙古神舟硅业有限责任公司 、 亚洲硅业 （ 青海 ） 有限公司 。 本标准主要起草人 ： 严大洲 、 万烨 、 毋克力 、 张园园 、 付雷 、 楚东旭 、 赵雄 、 杨素心 、 刘晓霞 、 贺东江 、 邱艳梅 、 刘淑萍 、 李卫南 、 宗冰 、 穆彩霞 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ２５０７４ — ２０１０ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ２５０７４ — ２０１７ 太阳能级多晶硅 １ 　 范围 本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义 、 牌号及分类 、 要求 、 试验方法 、 检验规则以及标志 、 包装 、 运输 、 贮存和质量证明书 。 本标准适用于以氯硅烷 、 硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ１５５１ 　 硅单晶电阻率测定方法 ＧＢ ／ Ｔ１５５３ 　 硅和锗体内少数载流子寿命测定 　 光电导衰减法 ＧＢ ／ Ｔ１５５７ 　 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 ＧＢ ／ Ｔ１５５８ 　 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 ＧＢ ／ Ｔ４０５９ 　 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 ＧＢ ／ Ｔ４０６０ 　 硅多晶真空区熔基硼检验方法 ＧＢ ／ Ｔ１３３８９ 　 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 　 半导体材料牌号表示方法 ＧＢ ／ Ｔ２４５７４ 　 硅单晶中 Ⅲ  Ⅴ 族杂质的光致发光测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２４５８１ 　 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中 Ⅲ 、 Ⅴ 族杂质含量的测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２４５８２ 　 酸浸取  电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 ＧＢ ／ Ｔ２９０５７ 　 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 ＧＢ ／ Ｔ２９８４９ 　 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 ＧＢ ／ Ｔ３１８５４ 　 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的术语和定义适用于本文件 。 ４ 　 牌号及分类 ４ ． １ 　 牌号 太阳能级多晶硅产品牌号应符合 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 的规定 。 ４ ． ２ 　 分类 太阳能级多晶硅根据外形分为块状和棒状 ， 根据导电类型分为 Ｎ 型和 Ｐ 型 ， 根据技术指标的差别 １ 犌犅 ／ 犜 ２５０７４ — ２０１７ 分为四级 。 ５ 　 要求 ５ ． １ 　 技术指标 太阳能级多晶硅的等级及对应技术指标要求应符合表 １ 的规定 ， 参考技术指标 （ 导电类型 、 电阻率 ） 参见附录 Ａ 。 表 １ 　 太阳能级多晶硅技术指标 项目技术指标 特级品 １ 级品 ２ 级品 ３ 级品 施主杂质浓度 ／ １０ －９ （ ｐｐｂａ ） ≤ ０．６８ ≤ １．４０ ≤ ２．６１ ≤ ６．１６ 受主杂质浓度 ／ １０ －９ （ ｐｐｂａ ） ≤ ０．２６ ≤ ０．５４ ≤ ０．８８ ≤ ２．６６ 氧浓度 ／（ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ ） ≤ ０．２×１０ １７ ≤ ０．５×１０ １７ ≤ １．０×１０ １７ ≤ １．０×１０ １７ 碳浓度 ／（ ａｔｏｍｓ ／ ｃｍ ３ ） ≤ ２．０×１０ １６ ≤ ２．５×１０ １６ ≤ ３．０×１０ １６ ≤ ４．０×１０ １６ 少数载流子寿命 ／ μ ｓ ≥ ３００ ≥ ２００ ≥ １００ ≥ ５０ 基体金属杂质含量 ／（ ｎｇ ／ ｇ ） Ｆｅ 、 Ｃｒ 、 Ｎｉ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎ ≤ １５ ≤ ５０ ≤ １００ ≤ １００ 表面金属杂质含量 ／（ ｎｇ ／ ｇ ） Ｆｅ 、 Ｃｒ 、 Ｎｉ 、 Ｃｕ 、 Ｚｎ 、 Ｎａ ≤ ３０ ≤ １００ ≤ １００ ≤ １００ ５ ． ２ 　 尺寸 ５ ． ２ ． １ 　 破碎的块状多晶硅具有无规则的形状 ， 尺寸随机分布 ， 其线性尺寸应不小于 ３ｍｍ ， 不大于 ２００ｍｍ 。 若有其他尺寸要求或单独包装时 ， 可由供需双方协商确定 。 多晶硅混装比例如下 ： ａ ） 　 小于 ３ｍｍ ， 混装时不超过总重量的 １％ ； ｂ ） ３ｍｍ ～ ２５ｍｍ ， 混装时不超过总重量的 １０％ ； ｃ ） ２５ｍｍ ～ ７０ｍｍ ， 混装时占总重量的 ３０％ ～ ５０％ ； ｄ ） ７０ｍｍ ～ ２００ｍｍ ， 混装时占总重量的 ５０％ ～ ６０％ 。 ５ ． ２ ． ２ 　 棒状多晶硅的直径 、 长度可由供需双方商定 ， 并在合同中注明 。 ５ ． ３ 　 表面质量 ５ ． ３ ． １ 　 多晶硅免洗或经过清洗后应达到直接使用的要求 ， 多晶硅表面质量的分类要求一般如下 ： ａ ） 　 致密料 ： 表面颗粒凹陷深度小于 ５ｍｍ ， 断面结构致密 ， 外观无异常颜色 ， 无氧化夹层 ； ｂ ） 菜花料 ： 表面颗粒凹陷深度 ５ｍｍ ～ ２０ｍｍ ， 外观无异常颜色 ， 无氧化夹层 ； ｃ ） 珊瑚料 ： 断面结构疏松 ， 凹陷深度 ≥ ２０ｍｍ ， 外观无异常颜色 ， 无氧化夹层 。 ５ ． ３ ． ２ 　 多晶硅的表面质量的其他分类要求 ， 由供需双方商定 。 ６ 　 试验方法 ６ ． １ 　 对多晶硅进行施主杂质浓度 、 受主杂质浓度 、 氧浓度 、 碳浓度 、 少数载流子寿命 、 导电类型 、 电阻率 ２ 犌犅 ／ 犜 ２５０７４ — ２０１７