(19)国家知识产权局
(12)发明 专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请 号 202210601699.1
(22)申请日 2022.05.30
(71)申请人 上海商汤智能科技有限公司
地址 200233 上海市徐汇区桂平路391号3
号楼1605A室
(72)发明人 赵晶晶 吴立威 刘亚坤 段云鹏
姚雨馨
(74)专利代理 机构 广州三环 专利商标代理有限
公司 44202
专利代理师 董文俊
(51)Int.Cl.
G06T 7/00(2017.01)
G06T 7/11(2017.01)
G06T 7/62(2017.01)
G06T 7/73(2017.01)G06V 10/22(2022.01)
G06V 10/40(2022.01)
G06V 10/74(2022.01)
G06V 10/764(2022.01)
G06V 10/774(2022.01)
G06V 10/82(2022.01)
G06N 20/10(2019.01)
G06N 3/04(2006.01)
G06K 9/62(2022.01)
(54)发明名称
缺陷识别方法及 装置、 电子设备及计算机可
读存储介质
(57)摘要
本申请公开了一种缺陷识别方法及装置、 电
子设备及计算机可读存储介质。 该方法包括: 获
取待处理图像, 所述待处理图像包括待检测发光
二极管支架的第一缺陷识别区域和所述待检测
发光二极管支架的非缺陷识别区域; 从所述待处
理图像中提取所述第一缺陷识别区域的第一特
征数据和所述非缺陷识别区域的第二特征数据;
对所述第一特征数据和所述第二特征数据进行
加权求和, 得到所述待检测发光二极管支架的第
三特征数据; 所述第一特征数据的权重大于所述
第二特征数据的权重; 根据所述第三特征数据得
到所述待检测发光二极管支架的第一缺陷识别
结果。
权利要求书2页 说明书16页 附图4页
CN 114897867 A
2022.08.12
CN 114897867 A
1.一种缺陷识别方法, 其特 征在于, 所述方法包括:
获取待处理图像, 所述待处理图像包括待检测发光二极管支架的第 一缺陷识别区域和
所述待检测发光 二极管支 架的非缺陷识别区域;
从所述待处理图像中提取所述第一缺陷识别区域的第一特征数据和所述非缺陷识别
区域的第二特 征数据;
对所述第一特征数据和所述第 二特征数据进行加权求和, 得到所述待检测发光二极管
支架的第三特 征数据; 所述第一特 征数据的权 重大于所述第二特 征数据的权 重;
根据所述第三特 征数据得到所述待检测发光 二极管支 架的第一 缺陷识别结果。
2.根据权利要求1所述的方法, 其特征在于, 所述缺陷识别方法通过缺陷识别模型实
现, 所述缺陷识别模型的训练过程包括:
获取待训练模型和至少一张训练图像, 所述至少一张训练图像均包括发光二极管支架
样本, 所述至少一张训练图像的标注数据包括所述发光二极管支架样本的所述第一缺陷识
别区域和所述发光 二极管支 架样本的缺陷情况;
根据所述至少一张训练图像, 对所述待训练模型进行训练, 得到所述 缺陷识别模型。
3.根据权利要求2所述的方法, 其特 征在于, 所述获取至少一张训练图像, 包括:
获取根据标注文档对至少一张待标注图像进行标注得到的至少一张第 一已标注图像,
作为所述至少一张训练图像, 所述标注文档包括所述第一缺陷识别区域在发光二极管支架
上的位置 。
4.根据权利要求3所述的方法, 其特征在于, 所述标注文档还包括至少一个第 二缺陷识
别区域在发光二极管支架上的位置、 所述第一缺陷识别区域和所述至少一个第二缺陷识别
区域的优先级。
5.根据权利要求3或4所述的方法, 其特征在于, 所述标注文档还包括发光二极管支架
的至少一个缺陷示例, 所述至少一个缺陷示例包括至少一张缺陷图像和所述至少一张缺陷
图像的标注数据;
所述至少一张待标注图像包括所述至少一张缺陷 图像, 所述至少一张第 一已标注图像
包括通过对所述至少一张缺陷图像进行 标注得到的至少一张第二已标注图像;
所述获取根据标注文档对至少一张待标注图像进行标注得到的至少一张第一已标注
图像, 作为所述至少一张训练图像, 包括:
获取根据标注文档对至少一张待标注图像进行 标注得到的至少一张第一已标注图像;
在所述至少一张第 二已标注图像的质量指标大于或等于质量指标阈值的情况下, 将所
述至少一张第一已标注图像作为所述至少一张训练图像, 所述质量指标表征所述至少一个
缺陷示例的标注准确度。
6.根据权利要求3至5中任意一项所述的方法, 其特征在于, 在所述训练图像的数量大
于1的情况下, 所述至少一张训练图像包括正样本和负样 本, 且所述正样本的数量与所述负
样本的数量的比值 为预设值。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法, 其特征在于, 所述根据所述第三特征数
据得到所述待检测发光 二极管支 架的第一 缺陷识别结果, 包括:
根据所述第三特 征数据, 确定所述待检测发光 二极管支 架存在待确认缺陷;
在所述待确 认缺陷的尺寸大于或等于尺寸阈值的情况下, 确定所述待检测发光二极管权 利 要 求 书 1/2 页
2
CN 114897867 A
2支架的第一 缺陷识别结果 为所述待检测发光 二极管支 架存在缺陷;
在所述待确 认缺陷的尺寸小于所述尺寸阈值的情况下, 确定所述待检测发光二极管支
架的第一 缺陷识别结果 为所述待检测发光 二极管支 架不存在缺陷。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法, 其特征在于, 所述待检测发光二极管支
架还包括第三缺陷识别区域, 所述第三缺陷识别区域的优先级比所述第一缺陷识别区域的
优先级低;
在所述第一缺陷识别结果为所述待检测发光二极管支架不存在缺陷的情况下, 在得到
所述待检测发光 二极管支 架的第一 缺陷识别结果之后, 所述方法还 包括:
从所述待处 理图像中提取 所述第三 缺陷识别区域的第四特 征数据;
根据所述第四特 征数据, 得到所述待检测发光 二极管支 架的第二 缺陷识别结果。
9.一种缺陷识别装置, 其特 征在于, 所述装置包括:
获取单元, 用于获取待处理图像, 所述待处理图像包括待检测发光二极管支架 的第一
缺陷识别区域和所述待检测发光 二极管支 架的非缺陷识别区域;
第一处理单元, 用于从所述待处理图像中提取所述第 一缺陷识别区域的第 一特征数据
和所述非缺陷识别区域的第二特 征数据;
第二处理单元, 用于对所述第一特征数据和所述第二特征数据进行加权求和, 得到所
述待检测发光二极管支架的第三特征数据; 所述第一特征数据的权重大于所述第二特征数
据的权重;
第三处理单元, 用于根据所述第 三特征数据得到所述待检测发光二极管支架的第 一缺
陷识别结果。
10.一种电子设备, 其特征在于, 包括: 处理器和存储器, 所述存储器用于存储计算机程
序代码, 所述计算机程序代码包括计算机指令, 在所述处理器执行所述计算机指令的情况
下, 所述电子设备 执行如权利要求1至8中任意 一项所述的方法。
11.一种计算机可读存储介质, 其特征在于, 所述计算机可读存储介质中存储有计算机
程序, 所述计算机程序包括程序指令, 在所述程序指令被处理器执行的情况下, 使 所述处理
器执行权利要求1至8中任意 一项所述的方法。权 利 要 求 书 2/2 页
3
CN 114897867 A
3
专利 缺陷识别方法及装置、电子设备及计算机可读存储介质
文档预览
中文文档
23 页
50 下载
1000 浏览
0 评论
0 收藏
3.0分
温馨提示:本文档共23页,可预览 3 页,如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档
本文档由 SC 于 2024-02-18 22:32:49上传分享