ICS 65.020.01 CCS B 05 黑 DB 2 3 龙 江 省 地 方 标 准 DB23/T 3189—2022 北美短叶松播种育苗技术规程 2022 - 05 - 09 发布 黑龙江省市场监督管理局 2 0 2 2 - 06 - 08 实施 发 布 DB23/T 3189－2022 前 言 本文件按照 GB/T 1.--2020《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由黑龙江省林业和草原局提出。 本文件起草单位：大兴安岭地区农业林业科学研究院、大兴安岭地区呼中林业局、东宁市东大川林 场、黑龙江省自然资源权益调查监测院、大兴安岭地区林草局、大兴安岭地区森工集团森林经营部技术 推广站。 本文件主要起草人：刘霞、李海臣、单春兰、张明喆、田迪鑫、孙程坤、岳妍、赵越、金凤新、刘 会锋、牟兆军、孙璐、马春辉。 I DB23/T 3189－2022 北美短叶松播种育苗技术规程 1 范围 本文件规定了北美短叶松播种育苗的播种前准备、播种、苗期管理、越冬管理、病虫害防治和生产 档案。 本文件适用于北美短叶松播种育苗。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 8321(所有部分) 农药合理使用准则 NY/T 496 肥料合理使用准则 通则 NY/T 1276 农药安全使用规范 总则 3 术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义。 4 播种前准备 4.1 选地 应选择背风向阳、地势平坦、土层深厚、土质疏松、排水良好、便于灌溉、土壤pH值5.0～7.0的地 块。 4.2 整地 宜秋季翻地，深度≥30 cm，结合翻地施入营养土。营养土配制比例为60%黑土+30%草炭土＋3%过 3 磷酸钙，配制好的营养土拌入40 g/m 的消菌灵，消毒10 d后再加入7%菌根土。菌根土可采用松林中表层 土壤。农药的使用应符合GB/T 8321和NY/T 1276的规定。 5 5.1 播种 种子选择 选择适宜我省栽培的北美短叶松种子，发芽率≥90%、净度≥98%、含水量≤13%。 5.2 做床消毒 地块耙平整细，起沟做床。床高 40 cm，床宽 1.1 m，四周修好步道排水沟。播种前 5 d 用浓度为 I DB23/T 3189－2022 0.5%的高锰酸钾溶液喷洒苗床后用塑料布封闭苗床，48 h 后用清水冲洗苗床至床面无泡沫、四周不再 有红色液体流出，3 d 后即可播种。 5.3 播种时间与方法 5.3.1 春播 春季土壤解冻≥20 cm 即可播种，播种前应对种子进行消毒和催芽处理，用 50℃温水浸种，自然冷 却后浸泡 24 h，取出晾干，再用 40%多菌灵 800 倍液浸种 2 h～4 h，横床条播，播幅 10 cm、幅距 20 cm， 2 2 幅深 0.5 cm～1 cm，将种子均匀播于幅内，播种量为 4 g/m ～5 g/m ，覆土厚度 0.5 cm～1 cm，播后搭建 拱架并覆盖 50%的遮阳网。 5.3.2 秋播 秋播宜土壤封冻前即采即播。播后覆盖松针或锯末，厚度为 2 cm～3 cm，再覆盖一层草帘。农药 的使用应符合 GB/T 8321 和 NY/T 1276 的规定。 6 6.1 苗期管理 定苗 小苗出土至真叶期，应及时拔除密生苗和病弱苗，苗间距宜 1 cm×1 cm，缺苗处进行补苗。 6.2 除草及松土 及时人工除草松土。 6.3 浇水 播种后至小苗出土期应保持基质湿润；幼苗期应遇旱浇水，遇涝排水，宜早、晚进行喷灌。 6.4 施肥 出苗20 d时，可喷施浓度为0.2%的磷酸二氢钾铵叶面肥一次；速生期可浇灌浓度为0.6%的混合肥料 一次，混合肥配制比例为N∶P∶K=3∶2∶1；施肥宜在傍晚进行。秋季可施磷钾肥。肥料使用应符合 NY/T 496的规定。 6.5 光照管理 幼苗生长期当空气温度≥28℃时，可用 50%遮阳网拱棚遮荫。 7 越冬管理 秋末土壤封冻前，将苗木起出，除去病弱株，100 株/捆，储存于温度-4℃～2℃苗木窖中。 8 8.1 病虫害防治 防治原则 坚持“预防为主，综合防治”的方针，优先使用农业防治、物理防治、生物防治，必须使用化学药 剂防治时，农药的使用应符合 GB/T 8321 和 NY/T 1276 的规定。 II DB23/T 3189－2022 8.2 主要病害防治 根腐病：可用多菌灵浇灌病区；立枯病：可采用多菌灵、可湿性代森锌、甲基托布津等药剂防治。 8.3 主要虫害防治 蚜虫：可用吡虫啉可湿性粉剂稀释后喷雾防治。 9 生产档案 应建立生产档案，内容包括：播种前准备、播种、苗期管理、越冬管理和病虫害防治等。 III