ICS 77. 040. 01 H 17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11068—2006 代替GB/T11068—1989 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法 Gallium arsenide epitaxial layerDetermination of carrier concentration voltage-capacitance method 2006-07-18 发布 2006-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T11068—2006 前言 本标准是对GB/T11068一1989《砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法》的修订。本标准在 原标准基础上，参考DIN50439《电容-电压法和汞探针测定半导体单晶材料掺杂剂的浓度剖面分布》编 制的。 本标准与原标准相比主要变动如下： 原标准规定，在制作高阻衬底样品的欧姆电极时，要在氮气保护及400℃下合金化5min，而经 验表明，在350℃～450℃的温度下合金化，都可得到好的欧姆接触电极，故将此项要求改为在 350℃~400℃及氮气保护下，合金化5min~10min； 一取消了原标准对环境的要求，因为在通常的实验室条件下，所用仪器和测试方法本身对环境温 度和湿度并不十分敏感，特别是成套仪器。但由于载流子浓度与温度有关，故应在测量报告中 标明测量时的环境温度； 简化了原标准关于电容仪校准的文字表述。 本标准自实施之日起代替GB/T11068一1989。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准起草单位：北京有色金属研究总院， 本标准主要起草人：王彤涵。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T11068—1989。 I GB/T11068—2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法 1范围 本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化外延层基体材料中载流 子浓度的测量。测量范围：1×1014cm-3~5X×1017cm-3。 2术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 2. 1 击穿电压 breakdownvoltage 当反向偏压增加到某一值时，肖特基结就失去阻挡作用，反向电流迅速增大时的电压值 2. 2 接触面积 contact area 汞探针与试样表面的有效接触面积。 2.3 势垒电容 barrier capacitance 半导体内垂直于接触面的空间电荷区的电容。 2. 4 势垒宽度barrierwidth 起势垒作用的空间电荷区的线性宽度。 2. 5 载流子浓度纵向分布longitudinal distribution of carrier concentration 自半导体表面向体内垂直方向上载流子浓度与深度的对应关系。 3原理 汞探针与砷化表面接触形成肖特基势垒，当反向偏压增大时，势垒区向砷化镓内部扩展。用高频 小讯号测量某一反向偏压下的势垒电容C(F)及由反向偏压增量△V(V)引起的势垒电容增量△C(F)， 根据公式（1）和公式（2)可计算出势垒扩展深度（X）和其相应的载流子浓度N（X）。 .(1) C AV C X ( △C N(X) ..(2) ecocA? 式中： X——势垒扩展宽度，单位um； C—势垒电容,单位F; AV——反向偏压增量,单位V； AC 势垒电容增量，单位F； N(X) 载流子浓度，单位cm；